Showing 25 of 116 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512
onsemi
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1 | 3.0 A, 80 V ; High performance trench technology for extremely low RDS(ON) ; Fast switching speed ; RDS(on) = 77 mΩ@ VGS = 10 V ; High power and current handling capability ; RDS(on) = 88 mΩ @ VGS = 6 V ; Low gate charge (13nC typical) | SOT23 (6-Pin) | FDC3512 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3535
onsemi
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1 | High power and current handling capability in a widely usedsurface mount package ; Max rDS(on) = 183 mΩ at VGS = -10 V, ID = -2.1 A ; RoHS Compliant ; Max rDS(on) = 233 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -1.9 A ; High performance trench technology for extremely low rDS(on) ; 100% UIL Tested ; Fast switching speed | SOT23 (6-Pin) | FDC3535 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3505
ELMEC Technology Of America Inc
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1 | Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, PSIP3 | FDC3505 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512_F073
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512_F073 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512S62Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512S62Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512L99Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512L99Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512D87Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512D87Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3510
ELMEC Technology Of America Inc
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1 | Passive Delay Line, 1-Func, 1-Tap, True Output, PSIP3 | FDC3510 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512-F095
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512-F095 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512
Rochester Electronics LLC
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1 | 3000mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SUPERSOT-6 | FDC3512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3535
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6 | FDC3535 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512D84Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512D84Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FDC3512
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDC3512 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG0805FDC35M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.2W, 3.57e+07ohm, 600V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | HVCG0805FDC35M7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS2512FDC357M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 3.57e+08ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCS2512FDC357M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG3512FDC357K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 357000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCG3512FDC357K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2010FDC357M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.57e+08ohm, 2000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2010 | HVCG2010FDC357M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS0603FDC35K7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.06W, 35700ohm, 400V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | HVCS0603FDC35K7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS3512FDC35M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 35700000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCS3512FDC35M7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCS3512FDC357M
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 3W, 357000000ohm, 3500V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 3512, CHIP | HVCS3512FDC357M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ1206FDC35M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.33W, 3.57e+07ohm, 1500V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 1206 | HVCZ1206FDC35M7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCG2010FDC35M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 1W, 3.57e+07ohm, 2000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2010 | HVCG2010FDC35M7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCB2512FDC357K
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 357000ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCB2512FDC357K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HVCZ2512FDC35M7
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 2W, 3.57e+07ohm, 3000V, 1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 2512 | HVCZ2512FDC35M7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||