Showing 25 of 183 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007(S)
Renesas Electronics
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1 | Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching | Other | HAF2007(S) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2005
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. | Other | HAF2005 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007(L)
Renesas Electronics
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1 | Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching | Transistor Outline, Vertical | HAF2007(L) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2015RJ
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. | Small Outline Packages | HAF2015RJ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2026RJ
Renesas Electronics
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1 | This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of high junction temperature like applying over power consumption, over current etc. . | Small Outline Packages | HAF2026RJ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021-90STL
Renesas Electronics Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | HAF2021-90STL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.065ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 | HAF2012(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2015RJRP
Hitachi Ltd
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1 | Buffer/Inverter Based Peripheral Driver, PDSO8, SOP-8 | HAF2015RJRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2027-90STR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-83, LDPAK(S)-(1), 3 PIN | HAF2027-90STR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011-90L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 40A, 60V, 0.033ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | HAF2011-90L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.033ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 | HAF2011(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 5A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | HAF2007S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,50A I(D),TO-263ABVAR | HAF2021(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2005-90
Renesas Electronics Corporation
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1 | 40A, 60V, 0.033ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, SC-67, TO-220FM, 3 PIN | HAF2005-90 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2008
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220FM, 3 PIN | HAF2008 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2021(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | HAF2021(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | HAF2012(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011-90STR
Renesas Electronics Corporation
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1 | 40A, 60V, 0.033ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-83, LDPAK-3 | HAF2011-90STR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2011-90S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 40A, 60V, 0.033ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-83, LDPAK-3 | HAF2011-90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007-90S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 5A, 60V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-63, DPAK-3 | HAF2007-90S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2012S
Renesas Electronics
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1 | Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching | HAF2012S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2002
Renesas Electronics
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1 | Silicon N Channel MOS FET Series Power Switching | HAF2002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2025-90L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 15A, 16V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | HAF2025-90L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2007(S)-1
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | HAF2007(S)-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAF2027-90STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.015ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK(L), 3 PIN | HAF2027-90STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||