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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5210S
Infineon
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1 | Transistor, MOSFET, SMT, IRF52 | Other | IRF5210S |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520NSTRLPBF
Infineon
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1 | HEXFET N-Ch Power MOSFET 9.7A 100V D2PAK Infineon IRF520NSTRLPBF N-channel MOSFET Transistor, 9.7 A, 100 V, 3-Pin D2PAK | Other | IRF520NSTRLPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5210LPBF
Infineon
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1 | Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | Transistor Outline, Vertical | IRF5210LPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520PBF
Vishay
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1 | TRANS MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-PIN 3+TAB Vishay Siliconix IRF520PBF N-channel MOSFET Transistor, 9.2 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF520PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5210PBF
Infineon
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1 | MOSFET P-Channel 100V 40A TO220AB Infineon IRF5210PBF P-channel MOSFET Transistor, 40 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF5210PBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520SPBF
Vishay
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1 | MOSFET N-Channel 100V | Other | IRF520SPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520PBF-BE3
Vishay
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1 | N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | IRF520PBF-BE3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5210STRRPBF
Infineon
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1 | 38 A, 100 V, 0.06 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | Other | IRF5210STRRPBF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520
STMicroelectronics
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1 | MOSFET N-Ch 100 Volt 10 Amp | Transistor Outline, Vertical | IRF520 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520NPBF
Infineon
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1 | N-channel MOSFET,IRF520N 9.5A 100V | Transistor Outline, Vertical | IRF520NPBF |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRF5210STRL
Infineon
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1 | INFINEON - AUIRF5210STRL - MOSFET Transistor, P Channel, 38 A, 100 V, 0.06 ohm, 10 V, 4 V | Other | AUIRF5210STRL |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF521
Texas Instruments
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1 | IRF521 | IRF521 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520CF
Texas Instruments
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1 | IRF520CF | IRF520CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF522
Texas Instruments
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1 | IRF522 | IRF522 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF523
Texas Instruments
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1 | IRF523 | IRF523 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF523
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 80V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF523 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520NSPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF520NSPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF523-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF523-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF521
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF521 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF523-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF523-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF522-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF522-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF521
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF521 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF520-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF520-007 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF522
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF522 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF522-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF522-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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