Showing 25 of 1951 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC022N03SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC022N03SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC028N06LS3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | BSC028N06LS3GATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC025N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC025N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC020N025SGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC020N025SGAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC022N04LS6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 139A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC022N04LS6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC028N03LSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC028N03LSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC028N03MSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC028N03MSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC024N025SGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC024N025SGAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC023N08NS5SCATMA1
Infineon
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1 | - | BSC023N08NS5SCATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC020N025SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC020N025SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC028N03MSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC028N03MSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC026NE2LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 25V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC026NE2LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC026N08NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 80V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC026N08NS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC028N06NSSC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 137A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC028N06NSSC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC027N03SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC027N03SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC027N06LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 134A I(D), 60V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC027N06LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC022N03S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC022N03S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC026N02KSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC026N02KSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC027N10NS5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 100V 23A/100A TSON | BSC027N10NS5ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC028N03LSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC028N03LSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC024N025SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC024N025SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC022N03SGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC022N03SGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC025N08LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC025N08LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC022N03SGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC022N03SGAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC029N025SG
Rochester Electronics LLC
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1 | 24A, 25V, 0.0045ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | BSC029N025SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||