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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FCPF11N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF11N60 |
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FCPF11N60F
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF11N60F |
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FCPF150N65FL1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | FCPF150N65FL1 |
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FCPF11N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 600V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN | FCPF11N60 |
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FCPF190N60E-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N60E-F154 |
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FCPF150N65F
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FCPF150N65F |
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FCPF190N60_F152
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N60_F152 |
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FCPF16N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF16N60 |
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FCPF13N60NT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.258ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF13N60NT |
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FCPF190N65S3R0LMW-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 680V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | FCPF190N65S3R0LMW-F154 |
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FCPF190N60E_F152
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N60E_F152 |
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FCPF190N65FL1
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N65FL1 |
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FCPF150N65F
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF150N65F |
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FCPF190N60-F154
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N60-F154 |
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FCPF190N60-F152
onsemi
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1 | N-Channel SuperFET® II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ, TO-220-3 FullPak, 1000-TUBE | FCPF190N60-F152 |
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FCPF1300N80Z
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FCPF1300N80Z |
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FCPF11N60T
onsemi
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1 | Typ. Rds(on)=0.32Ω; RoHS Compliant; 650V @Tj = 150°C; Ultra low gate charge (typ. Qg=40nC); 100% avalanche tested; Low effective output capacitance (typ. Coss.eff=95pF) | FCPF11N60T |
1
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FCPF190N60E
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FCPF190N60E |
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FCPF1300N80ZYD
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FCPF1300N80ZYD |
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FCPF16N60
Rochester Electronics LLC
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1 | 16A, 600V, 0.26ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | FCPF16N60 |
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FCPF11N60T
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 600V, 0.38ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3 PIN | FCPF11N60T |
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FCPF190N65FL1
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N65FL1 |
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FCPF11N65
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF11N65 |
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FCPF190N60_F152
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, SC-91A, TO-220F, FULL PACK-3 | FCPF190N60_F152 |
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FCPF190N60E-F152
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FCPF190N60E-F152 |
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