Showing 25 of 158 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD60R600C6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R600C6BTMA1 |
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IPD60R460CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R460CEATMA1 |
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IPD60R460CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R460CEAUMA1 |
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IPD60R750E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R750E6 |
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IPD60R1K0PFD7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R1K0PFD7S |
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IPD60R600CPATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPD60R600CPATMA1 |
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IPD60R600C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R600C6 |
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IPD60R600E6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R600E6BTMA1 |
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IPD60R210CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R210CFD7 |
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IPD60R650CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R650CEBTMA1 |
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IPD60R1K4C6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R1K4C6BTMA1 |
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IPD60R380C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R380C6 |
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IPD60R1K5CE
Infineon
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1 | 600V 1.2610V1.1A 49W TO-252-3 MOSFETs ROHS | IPD60R1K5CE |
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IPD60R800CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R800CE |
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IPD60R2K1CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R2K1CEBTMA1 |
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IPD60R600P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R600P7S |
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IPD600N25N3GBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD600N25N3GBTMA1 |
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IPD60R180P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R180P7S |
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IPD60R280P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R280P7S |
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IPD60R360CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R360CFD7 |
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IPD60R2K0C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R2K0C6 |
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IPD60R600P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R600P6 |
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IPD60R380C6BTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD60R380C6BTMA1 |
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IPD60R520CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD60R520CP |
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IPD60R380E6ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPD60R380E6ATMA2 |
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