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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD80R1K0CEBTMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R1K0CEBTMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD800N06NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD800N06NG |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R2K0P7ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R2K0P7ATMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R900P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R900P7 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K4P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R1K4P7 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K0CEATMA1
Infineon
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1 | Infineon IPD80R1K0CEATMA1 N-channel MOSFET Transistor, 5.7 A, 800 V, 3+Tab-Pin PG-TO-252 | IPD80R1K0CEATMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K2P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R1K2P7 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R2K8CEBTMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80P03P4L07XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2 | IPD80P03P4L07XT |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80N06S309ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, TO-252, 3 PIN | IPD80N06S309ATMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R2K4P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R2K4P7 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R2K8CEATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R2K8CEATMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD800N06NGBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD800N06NGBTMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R600P7ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET LOW POWER_NEW | IPD80R600P7ATMA1 |
1
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80N04S306ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2 | IPD80N04S306ATMA1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R1K4CEBTMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80P03P4L07ATMA2
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80P03P4L07ATMA2 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R2K7C3A
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 2.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R2K7C3A |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD800N06NGBUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PIN | IPD800N06NGBUMA1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R360P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R360P7 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R2K0P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, | IPD80R2K0P7 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K0CE
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPD80R1K0CE |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80P03P4L-07
Infineon
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1 | Infineon IPD80P03P4L-07 P-channel MOSFET Transistor, 80 A, 30 V, 3+Tab-Pin TO-252 | Other | IPD80P03P4L-07 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, DPAK-3/2 | IPD80R1K2P7ATMA1 |
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IPD80N04S306
Infineon
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0 | IPD80N04S306 |
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