Showing 25 of 100 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, PLASTIC, DPACK-3 | MJD122 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127-1
Motorola Mobility LLC
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1 | 8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | MJD127-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122
National Semiconductor Corporation
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0 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-252 | MJD122 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127(TO-251)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | MJD127(TO-251) |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 | MJD127TF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD122-TP-HF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127-T
Micro Commercial Components
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1 | Transistor | MJD127-T |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127-T1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 | MJD127-T1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3 | MJD127I |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127
Motorola Mobility LLC
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1 | 8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR | MJD127 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122(TO-252-2)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Transistor | MJD122(TO-252-2) |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122-T
Micro Commercial Components
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1 | Transistor | MJD122-T |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122
Motorola Mobility LLC
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1 | 8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR | MJD122 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122-1
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD122-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122
onsemi
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1 | Obsolete - 8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor | MJD122 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122T4
onsemi
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1 | Obsolete - 8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor | MJD122T4 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122
Continental Device India Ltd
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1 | Transistor | MJD122 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-251 | MJD127-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD127-TP-HF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127
Continental Device India Ltd
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1 | Transistor | MJD127 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-251 | MJD122-1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127S-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD127S-TP-HF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD122 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD122-1
onsemi
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1 | 8A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, CASE 369-07, DPAK-3 | MJD122-1 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MJD127
Galaxy Microelectronics
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1 | Medium Power PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 100V; IC (A): 8A; HFE Min: 1000; HFE Max: 12000; VCE (V): 4V; IC (mA): 4000mA; VCE(SAT) (V): 4V; IC (mA)1: 8000mA; IB (mA): 80mA; PTM Max (W): 1.5W; Package: TO-251/252; package_code: TO-251/252; mfr_package_code: TO-251/252 | MJD127 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||