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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMTS003N10MCTXG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 179A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMTS003N10MCTXG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMTS0D7N04CLTXG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 433A I(D), 40V, 0.00092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMTS0D7N04CLTXG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMTS1D5N08MC
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 287A I(D), 80V, 0.00156ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMTS1D5N08MC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMTS2D5N10MCTXG
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMTS2D5N10MCTXG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMTS1D5N08H
onsemi
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1 | Small Footprint (8x8 mm); Low RDS(on); Low QG and Capacitance; RoHS Compliant | NTMTS1D5N08H |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMTSC1D5N08MC
onsemi
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1 | Small Footprint (8x8 mm) for Compact Design; Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses; Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | NTMTSC1D5N08MC |
1
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NTMTS0D4N04CTXG
onsemi
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1 | RoHS Compliant; Very Low RDS(on), Shielded Gate Trench Technology; Low Profile PQFN 8x8 package; Maximum junction temperature of 175C | NTMTS0D4N04CTXG |
1
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NTMTS1D6N10MC
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 273A I(D), 100V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMTS1D6N10MC |
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NTMTS002N08MC
onsemi
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1 | Single N-Channel Power MOSFET 80V, 229A, 2.0mΩ, PQFN 8x8 | NTMTS002N08MC |
1
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