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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BQG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BQG |
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1 | Inductors for high frequency circuits, Multilayer ceramic | Other | MHQ0402PSA18NHT000 |
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71V35761SA183BG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1832
Toshiba
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1 | PNP Bipolar Transistor, -50 V, -0.15 A, SOT-416(SSM) | Other | 2SA1832 |
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71V35761SA183BGI
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGI |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18CA-TP
MCC
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1 | 500WATTS TVS 5.0 to 170 VOLTS | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | SA18CA-TP |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BQG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BQG8 |
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71V35761SA183BGG
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18CA-AP
MCC
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1 | 29.2V Clamp 17.5A Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting | SA18CA-AP |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BGGI
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGGI |
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TF13BSA-18S-0.4SH(800)
Hirose
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1 | FFC & FPC Connectors | Other | TF13BSA-18S-0.4SH(800) |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18-11SEKWA
Kingbright
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1 | SA18-11SEKWA Kingbright 7-Segment LED Display, CA Orange 610 mcd RH DP 44.5mm | Dual-In-Line Sockets | SA18-11SEKWA |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SA1832-GR,LF
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT | SOT23 (3-Pin) | 2SA1832-GR,LF |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BGGI8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGGI8 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V35761SA183BGI8
Renesas Electronics
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1 | The 71V35761 3.3V CMOS SRAM is organized as 128K x 36. It contains write, data, address and control registers. The burst mode feature offers the highest level of performance to the system designer, as the 71V35761 can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V35761SA183BGI8 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/TR8
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41 | SA18/TR8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/51
Vishay Semiconductors
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Unidirectional, DO-204AC | SA18/51 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/54
Vishay Semiconductors
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Unidirectional, DO-204AC | SA18/54 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/54
Vishay Intertechnologies
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, DO-204AC | SA18/54 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/73
Vishay Intertechnologies
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, DO-204AC | SA18/73 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/73
Vishay Semiconductors
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 18V V(RWM), Unidirectional, DO-204AC | SA18/73 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/51
Vishay Intertechnologies
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, DO-204AC | SA18/51 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SA18/TR12
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 18V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41 | SA18/TR12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1812SA181KA13A
Kyocera AVX Components
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1500V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00018uF, Surface Mount, 1812 | 1812SA181KA13A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SV55SA182KAATR1
Kyocera AVX Components
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1500V, 10% +Tol, 10% -Tol, C0G, -/+30ppm/Cel TC, 0.0018uF, 4720, | SV55SA182KAATR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||