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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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71V3556SA100BQI
Renesas Electronics
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1 | The 71V3556 3.3V CMOS Synchronous SRAM is organized as 128K x 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V3556 contains data I/O, address and control signal registers. | BGA | 71V3556SA100BQI |
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71V65603S150BGG8
Renesas Electronics
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1 | The 71V65603 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K X 36. It is designed to eliminate dead bus cycles when turning the bus around between reads and writes, or writes and reads. Thus, it has been given the name ZBTTM, or Zero Bus Turnaround. The 71V65603 contain data I/O, address and control signal registers. In the burst mode, it can provide four cycles of data for a single address presented to the SRAM. | BGA | 71V65603S150BGG8 |
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71V416L12BEG
Renesas Electronics
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1 | The 71V416 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the 71V416 are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation. | BGA | 71V416L12BEG |
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70V7339S166BF8
Renesas Electronics
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1 | The 70V7339 is a high-speed 512K x 18 (9Mbit) synchronous Bank-Switchable Dual-Ported SRAM is organized into 64 independent 8K x 18 banks and has two independent ports with separate control, address, and I/O pins for each port, allowing each port to access any 8K x 18 memory block not already accessed by the other port. An automatic power down feature, controlled by CE0 and CE1, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode. | BGA | 70V7339S166BF8 |
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AS6C6264-55SIN
Alliance Memory
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1 | Alliance Memory AS6C6264-55SIN SRAM Memory, 64kbit, 2.7 → 5.5 V, 55ns 28-Pin SOP | Small Outline Packages | AS6C6264-55SIN |
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CY14B256LA-SZ45XI
Infineon
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1 | 256Kbit 32Kx8 nvSRAM SOIC32 Cypress Semiconductor CY14B256LA-SZ45XI SRAM Memory, 256kbit, 2.7 → 3.6 V, 45ns 32-Pin SOIC | Small Outline Packages | CY14B256LA-SZ45XI |
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AS6C6264-55STCN
Alliance Memory
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1 | SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM | Small Outline Packages | AS6C6264-55STCN |
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CY7C1470BV25-250AXI
Infineon
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1 | SRAM 72Mb 2.5V 250Mhz 2Mx36 Pipelined SRAM | Quad Flat Packages | CY7C1470BV25-250AXI |
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DS1225AB-85+
Analog Devices
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1 | Maxim DS1225AB-85+ SRAM Memory Chip, 64kbit, 4.75 → 5.25 V, 70ns 28-Pin EDIP | Dual-In-Line Sockets | DS1225AB-85+ |
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APS6408L-OBMX-BA
AP Memory
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1 | DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 | BGA | APS6408L-OBMX-BA |
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IS66WVH8M8ALL-166B1LI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | PSRAM (Pseudo SRAM) Memory IC 64Mbit Parallel 166 MHz 36 ns 24-TFBGA (6x8) | BGA | IS66WVH8M8ALL-166B1LI |
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CY62167GN-45ZXIT
Infineon
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1 | 16-Mbit (1M x 16/2M x 8) Static RAM | Small Outline Packages | CY62167GN-45ZXIT |
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DS1245AB-70+
Analog Devices
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1 | MAXIM INTEGRATED PRODUCTS - DS1245AB-70+ - NON-VOLATILE SRAM, 1MBIT, 70NS, EDIP-32 | Dual-In-Line Sockets | DS1245AB-70+ |
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GS8321Z36AD-333IV
GSI TECHNOLOGY
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1 | SRAM 1.8/2.5V 1M x 36 32M | BGA | GS8321Z36AD-333IV |
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IS61LP6436A-133TQLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v | Quad Flat Packages | IS61LP6436A-133TQLI |
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UPD44164182AF5-E33-EQ2-A
Renesas Electronics
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1 | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165PBGA | BGA | UPD44164182AF5-E33-EQ2-A |
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R1LV1616RSA-7SI
Renesas Electronics
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1 | RENESAS - R1LV1616RSA-7SI - SRAM, 16 Mbit, 1M x 16bit, 2.7V to 3.6V, TSOP-I, 48 Pins, 70 ns | Small Outline Packages | R1LV1616RSA-7SI |
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IS66WV51216EBLL-70TLI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v~3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS | Small Outline Packages | IS66WV51216EBLL-70TLI |
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IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | IC PSRAM 32M PARALLEL 48TFBGA 3.0V Core Async/Page PSRAM | BGA | IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR |
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CY7C109D-10ZXIT
Infineon
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1 | SRAM 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async SRAM | Small Outline Packages | CY7C109D-10ZXIT |
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IS64WV51216EEBLL-10B2LA3
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 Pins, RoHS, Automotive temp | BGA | IS64WV51216EEBLL-10B2LA3 |
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IS62C256AL-25ULI
Integrated Silicon Solution Inc.
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1 | SRAM 256K (32K x 8) 25ns Async SRAM 5v SRAM - Asynchronous Memory IC 256Kbit Parallel 25 ns 28-SOP | Small Outline Packages | IS62C256AL-25ULI |
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AS7C256A-12TCNTR
Alliance Memory
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1 | SRAM SRAM, 256K,32K x 8, 5V, 28pin TSOP I, 12ns, Commercial Temp - Tape & Reel | Small Outline Packages | AS7C256A-12TCNTR |
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48L512T-I/SN
Microchip
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1 | SRAM Serial SRAM with Nonvolatile bits, 512K bit SPI | Small Outline Packages | 48L512T-I/SN |
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CY62146EV30LL-45ZSXA
Rochester Electronics
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1 | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II | Small Outline Packages | CY62146EV30LL-45ZSXA |
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