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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BL1821929
Fischer Elektronik GmbH & Co. KG
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1 | 3 A 150 V DC 1500 V THT (soldering) | Other | BL1821929 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NSVBCP5610MTWG
onsemi
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1 | General Purpose Transistor Medium Power, NPN 80 V, 1 A | Other | NSVBCP5610MTWG |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASPIAIG-F1040-4R7M
ABRACON
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1 | 4.7 µH Shielded Molded Inductor 10 A 15.5mOhm Max Nonstandard | Inductors Precision Moulded | ASPIAIG-F1040-4R7M |
3
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ASPI0630LRR47M
ABRACON
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1 | 470 nH Shielded Molded Inductor 18 A 4.1mOhm Max Nonstandard | Other | ASPI0630LRR47M |
3
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ASPIAIGF4020R56MT
ABRACON
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1 | 560 nH Shielded Molded Inductor 12 A 9.3mOhm Max Nonstandard | Other | ASPIAIGF4020R56MT |
3
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PBSS301PX-QX
Nexperia
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1 | PBSS301PX-Q - 12 V, 5.3 A PNP low VCEsat transistor@en-us | Other | PBSS301PX-QX |
3
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ASPI-5040S-3R3N
ABRACON
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1 | 3.3 µH Shielded Wirewound Inductor 3.3 A 32mOhm Max Nonstandard | Other | ASPI-5040S-3R3N |
3
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STGAP2SICSACTR
STMicroelectronics
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1 | Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs | Small Outline Packages | STGAP2SICSACTR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AHEA4191
Panasonic
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1 | HE-A relay series, 1 FORM A 1 FORM B, 12VDC | Other | AHEA4191 |
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LDL112PV15R
STMicroelectronics
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1 | 1.2 A low quiescent current LDO with reverse current protection | Small Outline No-lead | LDL112PV15R |
3
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PNE20080EPE-QZ
Nexperia
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1 | PNE20080EPE-Q - 200 V, 8 A hyperfast recovery rectifier@en-us | Other | PNE20080EPE-QZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PNE20030EP-QX
Nexperia
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1 | vp_PNE20030EP-Q - 200 V, 3 A hyperfast recovery rectifier@en-us | Other | PNE20030EP-QX |
3
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MSR860G
onsemi
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1 | Obsolete - Soft Ultrafast Rectifier, 200 V, 6.0 A | Transistor Outline, Vertical | MSR860G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ASPI-0403S-2R2M-T
ABRACON
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1 | 2.2 õH Shielded Wirewound Inductor 1.8 A 50mOhm Max Nonstandard | Other | ASPI-0403S-2R2M-T |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IHLP5050FDER4R7M01
Vishay
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1 | 4.7 µH Shielded Molded Inductor 13.5 A 8.7mOhm Max Nonstandard | Inductors Precision Moulded | IHLP5050FDER4R7M01 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPS10H100CG-TR
STMicroelectronics
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1 | 100 V, 10 A dual Power Schottky Rectifier | Other | STPS10H100CG-TR |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI82398CD4-IS3
Silicon Labs
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1 | 4.0 A ISODrivers with 2.5 V VDDI and Safety Features | Other | SI82398CD4-IS3 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMEG2020CER-QX
Nexperia
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1 | PMEG2020CER-Q - 20 V, 2 A Schottky barrier rectifier@en-us | Small Outline Diode Flat Lead | PMEG2020CER-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPS40170CGY-TR
STMicroelectronics
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1 | Automotive 170 V, 40 A dual Power Schottky Rectifier | Other | STPS40170CGY-TR |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STPSC20H12DY
STMicroelectronics
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1 | Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode | Transistor Outline, Vertical | STPSC20H12DY |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TN4050-12PI
STMicroelectronics
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1 | 40 A 1200 V standard SCR thyristor in TOP3 Ins. | Other | TN4050-12PI |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCM1A1707V2-680-R
Eaton
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1 | 68 µH Shielded Inductor 5 A 60mOhm Max Nonstandard | Other | HCM1A1707V2-680-R |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4D7N04XMT1G
onsemi
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1 | Power MOSFET, SingleN-Channel, SO8FL40 V, 4.7mΩ, 66 A | Other | NTMFS4D7N04XMT1G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PMEG3010EXE-QX
Nexperia
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1 | PMEG3010EXE-Q - 30 V, 1 A Schottky barrier rectifier@en-us | Other | PMEG3010EXE-QX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2512-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2512 is a Switching N-Channel Power Mosfet. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2512-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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