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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S4L26ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S4L26ATMA1 |
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IPG20N06S2L-50A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S2L-50A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S4L08AATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0082ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N04S4L08AATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0122ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N04S412AATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S4L14ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0137ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S4L14ATMA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S4-15A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S4-15A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S3L35ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S3L35ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S4-08
Rochester Electronics LLC
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1 | 20A, 40V, 0.0076ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | IPG20N04S4-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S415ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S415ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S3L-35
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S3L-35 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S4-12A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0122ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N04S4-12A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S4L-08A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0082ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N04S4L-08A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S4L-14
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0137ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S4L-14 |
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IPG20N10S4L35ATMA1
Infineon
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1 | 100V, Dual N-Ch, 35 mΩ max, Automotive MOSFET, dual SS08 (5x6), OptiMOS™-T2 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S2L-35
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S2L-35 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S2L65AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S2L65AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S4-09
Rochester Electronics LLC
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1 | 20A, 40V, 0.0086ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8 | IPG20N04S4-09 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S412ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0122ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N04S412ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S415XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.0155ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S415XT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S4L18AATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.026ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N04S4L18AATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S4-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 40V, 0.0076ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N04S4-08 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S3L23ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 55V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPG20N06S3L23ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N06S4L-11
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | IPG20N06S4L-11 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N04S408AATMA1
Infineon
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1 | MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 20A, TDSON | IPG20N04S408AATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPG20N10S4L22AATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | IPG20N10S4L22AATMA1 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||