Showing 25 of 80 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP65R600E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R600E6 |
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IPP65R110CFDAAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R110CFDAAKSA1 |
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IPP65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 650V, 0.42ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R420CFDXKSA1 |
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IPP65R110CFDXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31.2A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R110CFDXKSA2 |
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IPP65R190CFDAAKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190CFDAAKSA1 |
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IPP65R045C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R045C7 |
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IPP65R150CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R150CFD |
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IPP65R095C7XKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 | IPP65R095C7XKSA1 |
1
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IPP65R145CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R145CFD7A |
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IPP65R280E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R280E6XKSA1 |
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IPP65R190CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190CFD7 |
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IPP65R190C7FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190C7FKSA1 |
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IPP65R190E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190E6 |
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IPP65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190CFDXKSA2 |
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IPP65R190E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190E6XKSA1 |
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IPP65R190C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190C6 |
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IPP65R190CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190CFD7A |
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IPP65R280E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R280E6 |
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IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | IPP65R225C7XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP65R600E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R600E6XKSA1 |
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IPP65R310CFDAXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R310CFDAXK |
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IPP65R190CFDXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190CFDXKSA1 |
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IPP65R095C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R095C7 |
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IPP65R190CFDA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R190CFDA |
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IPP65R125C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP65R125C7 |
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