Showing 25 of 95 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-252 | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
WEITRON INTERNATIONAL CO., LTD.
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD122I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD128T4
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD128T4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122TF
onsemi
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1 | 8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor | MJD122TF |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122G
onsemi
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1 | Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix); Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix); High DC Current Gain hFE = 2,500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc; Surface Mount Replacements for 2N6040-2N6045 Series, TIP120-TIP122 Series, and TIP125-TIP127 Series; Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors; Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix); Complementary Pairs Simplifies Designs; NJV Prefix for Automotive and Other Applications | MJD122G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122F1
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD122F1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122-1
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD122-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD127-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127
Continental Device India Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin | MJD127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, | MJD122 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127S-TP-HF
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD127S-TP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122(TO-252)
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 1-Element, NPN | MJD122(TO-252) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127
JCET Group
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1 | PNP transistor with -100 V collector-base and collector-emitter voltage, -8 A continuous collector current, 1.5 W power dissipation, built-in damper diode, high DC current gain, and TO-252-2L package. | MJD127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,PNP,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-251 | MJD127-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD126F1
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD126F1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122-1
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,100V V(BR)CEO,8A I(C),TO-251 | MJD122-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122-1
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | MJD122-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127S-TP
Micro Commercial Components
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO | MJD127S-TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122RLG
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD122RLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127G
Galaxy Microelectronics
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1 | Power Bipolar Transistor | MJD127G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), PNP | MJD127 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD127-I
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, IPAK-3 | MJD127-I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MJD122
Samsung Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), NPN | MJD122 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||