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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R105CFD7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R105CFD7XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R190E6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R190E6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R060P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R060P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R125CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R125CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERA3VPW60R4V
Panasonic Electronic Components
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.125W, 60.4ohm, 100V, 0.05% +/-Tol, 15ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | ERA3VPW60R4V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCP-0402PW60R4F
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.08W, 60.4ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | RCP-0402PW60R4F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R120P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R120P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R190P6
Infineon
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1 | MOSFETs HIGH POWER_PRC/PRFRM | IPW60R190P6 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R230P6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16.8A I(D), 600V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R230P6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R280P6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R280P6FKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099CS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R099CS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R120P7XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R075CPA
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R075CPA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R075CPXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 600V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R075CPXK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC3-0805PW60R4F
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.175W, 60.4ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805 | RC3-0805PW60R4F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R190C6XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R190C6XK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099CPXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R099CPXK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R125CPXK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R125CPXK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCC-0603PW60R4F
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 60.4ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0603 | RCC-0603PW60R4F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099CM8
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPW60R099CM8 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MCT0603-250.5%PW60R4
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 60.4ohm, 75V, 0.5% +/-Tol, 25ppm/Cel, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT | MCT0603-250.5%PW60R4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC3-0402PW60R4F
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.08W, 60.4ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | RC3-0402PW60R4F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RCC-0402PW60R4F
International Manufacturing Services Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.08W, 60.4ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | RCC-0402PW60R4F |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R099C6XK
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R099C6XK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPW60R280E6FKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IPW60R280E6FKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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