Showing 25 of 125 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9222
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9110PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9110PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9110PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9110PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9310PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9310PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024NPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9024NPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.6A, 200V, 1.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | IRFU9220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024N
Infineon
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1 | MOSFET P-CH 55V 11A IPAK | IRFU9024N |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024NC
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9024NC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9020
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9020 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFU9220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFU9024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9310
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9214
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9220 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9120PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9210
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9210 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9110
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRFU9110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | IRFU9220PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9214N
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9214N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFU9120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9014
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9220
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9220 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9024NCPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9024NCPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFU9120
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | IRFU9120 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||