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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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P6SMB12CAS
PANJIT
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1 | Transient Voltage Suppressors - P6SMB12CAS , BI, 600W, Min.10.2V, Max.12.6V, SMB | Diodes Moulded Non Polarised | P6SMB12CAS |
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TPSMB12CA-E
LITTELFUSE
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1 | TVS Diode, Surface Mount ? 600 W, Bi-directional, DO-214AA | Other | TPSMB12CA-E |
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EKMB1201113
Panasonic
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1 | Sensor PIR (Passive Infrared) 197" (5m) 16.4' Polyethylene, Pearl White Lens - 2µA | Other | EKMB1201113 |
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ASEMB-12.000MHZ-LC-T
ABRACON
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1 | 12 MHz XO (Standard) CMOS Oscillator 1.8V ~ 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead | Other | ASEMB-12.000MHZ-LC-T |
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EKMB1210113
Panasonic
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1 | Sensor Motion, Pyroelectric, PIR (Passive Infrared) 197" (5m) 16.4' Module, 2.3V ~ 4V, -20°C ~ 60°C (TA) | Other | EKMB1210113 |
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P6SMB120AJ
Nexperia
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1 | 600 W Transient Voltage Suppressor 7.02 V to 214 V SMB (SOD1002-1) | Diodes Moulded | P6SMB120AJ |
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ASEMB-125.000MHZ-LY-T
ABRACON
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1 | MEMS CLOCK OSCILLATOR | Other | ASEMB-125.000MHZ-LY-T |
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EKM-B1201111
Panasonic
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1 | Sensor PIR (Passive Infrared)0002, Sensor PIR (Passive Infrared) 197" (5m) 16.4' Polyethylene, White Lens | Other | EKM-B1201111 |
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W631GU8MB12S
Winbond
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1 | SDRAM - DDR3L Memory IC 1Gbit Parallel 800 MHz 20 ns 78-VFBGA (10.5x8) | BGA | W631GU8MB12S |
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ASVMB125006MHZLYT
ABRACON
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1 | Oscillator MEMS 125.006MHz ±10ppm (Stability) 15pF LVCMOS 55% 1.8V/2.5V/3.3V Automotive 4-Pin QFN EP SMD T/R | Other | ASVMB125006MHZLYT |
3
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W632GG8MB12K
Winbond
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1 | DDR3 SDRAM 1600M HzSDRAM - DDR3 Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 78-VFBGA (10.5x8) | BGA | W632GG8MB12K |
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ASEMB-125.000MHZ-XR-T
ABRACON
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1 | MEMS CLOCK OSCILLATOR | Other | ASEMB-125.000MHZ-XR-T |
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W631GG6MB12K
Winbond
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1 | Power Supply: VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V Double Data Rate architecture: two data transfers per clock cycle Eight internal banks for concurrent operation 8 bit prefetch architecture CAS Latency: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13 and 14 Burst length 8 (BL8) and burst chop 4 (BC4) modes: fixed via mode register (MRS) or selectable OnThe-Fly (OTF) Programmable read burst ordering: interleaved or nibble sequential Bi-directional, differential data strobes (DQS and DQS#) are transmitted / received wit | BGA | W631GG6MB12K |
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PJMB125N60FRC
PANJIT
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1 | Super Junction MOSFET (600-650V) - PJMB125N60FRC, N Channel, 30A, 600V, TO-263AB | Other | PJMB125N60FRC |
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EKM-B1209113
Panasonic
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1 | Sensor PIR (Passive Infrared) | Other | EKM-B1209113 |
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P6SMB120CA-Q
Bourns
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1 | P6SMB-Q Transient Voltage Suppressor Diode Series, Bi-Directional | Diodes Moulded Non Polarised | P6SMB120CA-Q |
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P6SMB12A
PANJIT
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1 | Transient Voltage Suppressors - P6SMB12A , UNI, 600W, Min.10.2V, Max.12.6V, SMB | Diodes Moulded | P6SMB12A |
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P6SMB12CA-AU
PANJIT
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1 | Transient Voltage Suppressors - P6SMB12CA-AU , AEC-Q101, BI, 600W, Min.10.2V, Max.12.6V, SMB | Diodes Moulded Non Polarised | P6SMB12CA-AU |
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PHE850EB5330MB12R17
Yageo Group
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1 | Kemet PHE850 33nF Polypropylene Film Capacitor 1250 V dc, 300 V ac ±20% | Other | PHE850EB5330MB12R17 |
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TMB12A05
Jiangsu Huaneng Elec
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1 | 12*9.5 Buzzers RoHS | Other | TMB12A05 |
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P6SMB12CA R5G
Taiwan Semiconductor
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1 | TVS DIODE 10.2V 16.7V DO214AA | Diodes Moulded Non Polarised | P6SMB12CA R5G |
3
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TZMB12-GS08
Vishay
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1 | VISHAY - TZMB12-GS08 - Zener Single Diode, 12 V, 500 mW, SOD-80 (MiniMELF), 2 %, 2 Pins, 175 °C | Other | TZMB12-GS08 |
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RPMB12-3.0
RECOM Power
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1 | Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 3A 25-Pin LGA Module T/R | Other | RPMB12-3.0 |
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TMB12A03
Jiangsu Huaneng Elec
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1 | Buzzers Magnetic YES 2300±300Hz 3V 1.5 ~ 4V Φ12mm Through Hole RoHS | Other | TMB12A03 |
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MB12S
Suzhou Good-Ark Electronics Co., Ltd.
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1 | Surface Mount Schottky Bridge RectifiersReverse Voltage 20V to 100V Forward Current 1A | Small Outline Packages | MB12S |
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