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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESI71K21S
EXXELIA Group
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1 | General Purpose Inductor, 1.27uH, 20%, 1 Element, SMD, 2822 | ESI71K21S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 20V, 0.0019ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7141DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7139DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7139DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7100DN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26.1A I(D), 8V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7100DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7170DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7170DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7170DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28.5A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7170DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 20V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7106DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7137DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.00195ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7137DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7148DP-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7148DP-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7110DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7110DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7108DN-T1-GE3
Vishay
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1 | MOSFETs 20V 22A 3.8W 4.9mohm @ 10V | SI7108DN-T1-GE3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7190DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 0.118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7190DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26.1A I(D), 12V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7104DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7178DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7178DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7110DN-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 20V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7110DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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947BSI71.50.25%25
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 10W, 71.5ohm, 750V, 0.25% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount | 947BSI71.50.25%25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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923BSI.7151%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 6W, 0.715ohm, 300V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 923BSI.7151%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7116BDN-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 40V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7116BDN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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923BSI7151%100
Vishay Intertechnologies
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 6W, 715ohm, 300V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount | 923BSI7151%100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7112DN-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.3A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7112DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7102DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 12V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7102DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7117DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 150V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7117DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7115DN-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 150V, 0.295ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7115DN-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7194DP-T1-GE3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 25V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7194DP-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI7116DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 40V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI7116DN-T1-GE3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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