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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L07ATMA3
Infineon
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1 | 55V, N-Ch, 6.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™ | IPB80N06S2L07ATMA3 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S207ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S207ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P4-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P03P4-05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N08S2L-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N08S2L-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S3H4ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S3H4ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S306ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S306ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S3L08ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S3L08ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S4L-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S4L-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P4-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P4-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S4L07ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S4L07ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L-05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L07ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0097ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L07ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L-11
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 55V, 0.0147ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB80N06S2L-11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P4L-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P4L-08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L06ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L06ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S204ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S204ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P4L07ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 92A I(D), 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P03P4L07ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P405ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0047ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P03P405ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2-09
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2-09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L09ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S4-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S4-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P4L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P4L-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L09ATMA2
Infineon
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1 | N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 | IPB80N06S2L09ATMA2 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2-H5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2-H5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N08S2-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N08S2-07 |
0
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