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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7379
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7379 |
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IRF730AL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF730AL |
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IRF7341PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 55V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7341PBF |
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IRF732-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-006PBF |
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IRF7317TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 20V, 0.029ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7317TR |
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IRF7331TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7331TRPBF-1 |
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IRF730SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF730SPBF |
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IRF730CHIP
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730CHIP |
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IRF730AS
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF730AS |
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IRF733-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF733-013PBF |
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IRF733-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF733-012 |
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IRF737LC-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 300V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF737LC-002PBF |
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IRF730STRL
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730STRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7328
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7328 |
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IRF7380
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 80V, 0.073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7380 |
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IRF7379QTRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), N-Channel and P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF7379QTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730-031PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF730-015PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732
FCI Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732 |
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IRF732
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF732 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF730ASTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF730ASTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-001 |
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IRF732-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732-005 |
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IRF733-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4.5A, 350V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF733-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF732
Micro Electronics Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF732 |
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