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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-014-6-LR-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 700V, 0.138ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-014-6-LR-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-011-6-L-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.2A I(D), 700V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-011-6-L-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-004-1-L-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | GS-065-004-1-L-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-004-1-L-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, High Electron Mobility FET | GS-065-004-1-L-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-030-2-L-MR
Infineon
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1 | GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS | GS-065-030-2-L-MR |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-060-5-T-A-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-060-5-T-A-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-011-6-L-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.2A I(D), 700V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-011-6-L-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-011-6-LR-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.2A I(D), 700V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-011-6-LR-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-011-1-L-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-011-1-L-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-018-2-L-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-018-2-L-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-014-6-L-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 700V, 0.138ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-014-6-L-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-030-6-LR-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 700V, 0.054ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-030-6-LR-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-014-6-L-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 700V, 0.138ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-014-6-L-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-018-2-L-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-018-2-L-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-018-6-LR-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 700V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-018-6-LR-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-030-6-LL-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 700V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-030-6-LL-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-014-6-LR-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.2A I(D), 700V, 0.138ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-014-6-LR-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-030-6-LR-TR
GaN Systems
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1 | GAN POWER TRANSISTOR | GS-065-030-6-LR-TR |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS-065-060-5-T-A-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS-065-060-5-T-A-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TA45-ABFGS060C0-AZM13
Schurter Electronic Components
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1 | Thermal Circuit Breaker, 2 Pole(s), 6A, 240VAC, 60VDC, Panel Mount | TA45-ABFGS060C0-AZM13 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTLW-114-06-G-S-060
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 14 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking | MTLW-114-06-G-S-060 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WBC-T0303GS-06-3570-FB
TT Electronics Resistors
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1 | Array/Network Resistor, Center Tap, Thin Film, 0.25W, 357ohm, 100V, 1% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 0303, | WBC-T0303GS-06-3570-FB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WBC-T0303GS-06-4990-FB
TT Electronics Resistors
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1 | Array/Network Resistor, Center Tap, Thin Film, 0.25W, 499ohm, 100V, 1% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 0303, | WBC-T0303GS-06-4990-FB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WBC-T0303GS-06-2740-CG
TT Electronics Resistors
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1 | Array/Network Resistor, Center Tap, Thin Film, 0.25W, 274ohm, 100V, 0.25% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 0303, | WBC-T0303GS-06-2740-CG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WBC-T0303GS-06-1300-CC
TT Electronics Resistors
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1 | Array/Network Resistor, Center Tap, Thin Film, 0.25W, 130ohm, 100V, 0.25% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 0303, | WBC-T0303GS-06-1300-CC |
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