Showing 25 of 468 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS5C682NLT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS5C682NLT3G |
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NTMFS4D8N02HT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 25V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4D8N02HT1G |
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NTMFS4H01NFT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 334A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4H01NFT3G |
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NTMFS4C06NCT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C06NCT3G |
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NTMFS5C404NLTWFT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 370A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS5C404NLTWFT1G |
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NTMFS4841NHT1G
Rochester Electronics LLC
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1 | 13.5A, 30V, 0.0116ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 488AA-01, DFN6, SOP-8 | NTMFS4841NHT1G |
0
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NTMFS4946NT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 30V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4946NT1G |
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NTMFS4982NFT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26.5A I(D), 30V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4982NFT1G |
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NTMFS4852NT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4852NT1G |
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NTMFS4C028NT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses; Low Capacitance to Minimize Driver Losses; Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses; RoHS Compliant | NTMFS4C028NT1G |
1
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NTMFS10N7D2C
onsemi
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1 | MSL1 Robust Package Design; 100% UIL Tested; Shielded Gate MOSFET Technology; Small Footprint (5 x 6 mm); RoHS Compliant; Low Qrr; Soft reverse recovery body diode; Low RDS(on) | NTMFS10N7D2C |
1
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NTMFS010N10GTWG
onsemi
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1 | Shielded Gate MOSFET Technology ; Max rDS(on) = 10.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 83 A ; Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design; Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses; Wide SOA; These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | NTMFS010N10GTWG |
1
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NTMFS6H864NLT1G
onsemi
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1 | Small Footprint (5x6mm); Low RDS (on); Low QG and Capacitance; These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant | NTMFS6H864NLT1G |
1
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NTMFS5C442NLT3G
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low Input Capacitance; RoHS Compliant | NTMFS5C442NLT3G |
1
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NTMFS5C450NLT1G
onsemi
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1 | Low RDS(on); Low Input Capacitance; Maximum Junction Temperature of 175°C; Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design; NTMFS5C404NLTWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection; RoHS Compliant | NTMFS5C450NLT1G |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS5C628NL
onsemi
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1 | MOSFET TRENCH 6 60V NFET | NTMFS5C628NL |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFSS1D5N06CLT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 60V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFSS1D5N06CLT1G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4935NCT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4935NCT3G |
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NTMFS4708NT1G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4708NT1G |
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NTMFS4C805NAT3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C805NAT3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTMFS4701NT3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4701NT3G |
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NTMFS23D9N06HLT1G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 60V, 0.0353ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS23D9N06HLT1G |
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NTMFS5C450NT3G
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS5C450NT3G |
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NTMFS4122NT3G
onsemi
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 9.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4122NT3G |
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NTMFS4C08NT1G-001
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NTMFS4C08NT1G-001 |
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