Showing 25 of 12098 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GTVA262711FA-V2-R0
MACOM
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | GTVA262711FA-V2-R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CGHV35120F
Wolfspeed
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | CGHV35120F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTVA120501EAV1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | PTVA120501EAV1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1012UK.01
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | D1012UK.01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFX600GS
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRFX600GS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AGR19030EF
Avago Technologies
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AGR19030EF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLU17ZME1
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | FLU17ZME1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TGI1314-50LA
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | TGI1314-50LA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTFB192503ELV1R0XTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTFB192503ELV1R0XTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D1093UKG4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | D1093UKG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CGH40035F
Wolfspeed
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1 | RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt | CGH40035F |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SRF444
TT Electronics Resistors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | SRF444 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PTF10021
Ericsson
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | PTF10021 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DMD1029
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | DMD1029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF1043,135
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF1043,135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGN27C160I2D
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | SGN27C160I2D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ILD3135M30
Integra Technologies Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ILD3135M30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IVN5000SNF
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52 | IVN5000SNF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF300A-27MHZ
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRF300A-27MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D2014UKG4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | D2014UKG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ARF449A
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | ARF449A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRFE6VP61K25NR6
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRFE6VP61K25NR6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF10H6600PS
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF10H6600PS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF151
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRF151 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G20LS-400PGVQ
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF8G20LS-400PGVQ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||