10N80 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IXFA10N80P
LITTELFUSE
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1 | Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263 | Other | IXFA10N80P |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STP10N80K5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 800 V, 0.470 Ω typ., 9 A MDmesh™ K5 Power MOSFET in a TO-220 package | Transistor Outline, Vertical | STP10N80K5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STFU10N80K5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 800 V, 0.470 Ω typ., 9 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in a TO-220FP and TO-220FP ultra narrow leads | Transistor Outline, Vertical | STFU10N80K5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STH10N80K5-2AG
STMicroelectronics
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1 | Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 O typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK-2 package | Other | STH10N80K5-2AG |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STF10N80K5
STMicroelectronics
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1 | N-channel 800 V, 0.470 Ω typ., 9 A MDmesh™ K5 Power MOSFETs in a TO-220FP and TO-220FP ultra narrow leads | Transistor Outline, Vertical | STF10N80K5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-CQ-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 10N80L-CQ-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-CQ-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 10N80G-CQ-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 10N80G-T3P-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-CQ-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 10N80L-CQ-T2Q-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 10N80-T3P-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-CQ-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80G-CQ-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-CQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80L-CQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-CQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80G-CQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-CQ-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80L-CQ-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-TC3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 10N80G-TC3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 10N80L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 10N80L-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 10N80G-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-CQ-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 10N80G-CQ-T2Q-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-CQ-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80L-CQ-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 10N80G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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10N80L-TC3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 10N80L-TC3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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