17P10 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ESDA17P100-1U2M
STMicroelectronics
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1 | High-power transient voltage supressor (TVS) | Other | ESDA17P100-1U2M |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP17P10
onsemi
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1 | 100% avalanche tested; Low Crss ( Typ. 100pF); -16.5A, -100V, RDS(on) = 190mΩ(Max.) @VGS = -10 V, ID = -8.25A; 175°C maximum junction temperature rating; Low gate charge ( Typ. 30nC) | Transistor Outline, Vertical | FQP17P10 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-HC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10L-HC-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-HC-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 17P10L-HC-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 17P10L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-Q-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 17P10G-Q-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-HC-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10G-HC-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-HC-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10L-HC-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-Q-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10G-Q-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-HC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 17P10G-HC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-HC-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 17P10L-HC-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-HC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 17P10L-HC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-HC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10G-HC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 17P10L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 17P10L-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-HC-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 17P10G-HC-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-Q-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 17P10L-Q-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-HC-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10L-HC-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-HC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10L-HC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 17P10L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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17P10G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 17P10G-TM3-T |
0
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