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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
Microchip
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1 | N-Channel 90 V 350mA (Tj) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39 | Other | 2N6661 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
SEMELAB
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1 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET TO39 (TO-205AD) Package VDSS = 60V , ID = 1.0A, RDS(ON) = 3.0Ω | Other | 2N6660 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667G
onsemi
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1 | Obsolete - Power 8A 80V Darlington PNP | Transistor Outline, Vertical | 2N6667G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
Microchip
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1 | MOSFET 60V 3Ohm | Other | 2N6660 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
Multicomp Pro
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1 | Collector-Emitter Sustaining VoltageVCEO(sus) = 80V (Min.)• Collector-Emitter Saturation VoltageVCE(sat) = 2V (Max.) at IC = 5A• DC Current Gain hFE = 3,000 (Typ.) at IC = 4A | Transistor Outline, Vertical | 2N6668 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
SENSITRON SEMICONDUCTOR
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1 | HERMETIC POWER MOSFET N-CHANNEL FEATURES 60 Volt, 1.3 Ohm low capacitance MOSFET | Other | 2N6660 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668
Texas Instruments
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0 | 2N6668 | 2N6668 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661-220M-ISO
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2N6661-220M-ISO | 2N6661-220M-ISO |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666
Texas Instruments
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0 | 2N6666 | 2N6666 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667BG
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667BG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6660.MOD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660.MOD
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6660.MOD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668-6263
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-6263 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6666-6265
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6666-6265 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661N2
Supertex Inc
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1 | Transistor | 2N6661N2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668AU
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668AU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661UB
VPT Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6661UB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
Intersil Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6660 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6667U
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6667U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 90V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD | 2N6661 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6661CSM4-JQR-BG4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-041BA | 2N6661CSM4-JQR-BG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660C4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2N6660C4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668-DR6260
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668-DR6260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6668AJ
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6668AJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6660
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6660 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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