Showing 25 of 1113 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Infineon
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1 | 2N7002, N-channel MOSFET Transistor, 0.30 A 60 V, 3-Pin PG-SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | 2N7002 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
onsemi
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1 | Voltage controlled small signal switch.; High density cell design for extremely low RDS(ON).; Rugged and Reliable.; High saturation current capability. | SOT23 (3-Pin) | 2N7002 |
3
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2N7002
STMicroelectronics
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1 | This Power MOSFET is the second generation ofSTMicroelectronics unique “single feature size”strip-based process. The resulting transistorshows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics andless critical alignment steps therefore aremarkable manufacturing reproducibility. | SOT23 (3-Pin) | 2N7002 |
3
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2N7002
Nexperia
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1 | 2N7002 N-channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin TO-236AB | Other | 2N7002 |
3
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2N7002
Vishay
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1 | N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V RoHS Compliant: No | SOT23 (3-Pin) | 2N7002 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Comchip Technology Corporation Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Zetex / Diodes Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Philips Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
KEC
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
AK Semiconductor
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1 | N-channel enhancement MOSFET in SOT-23 package with 60 V drain-source voltage, 115 mA continuous drain current, low RDS(on), and high saturation current capability suitable for small signal switching applications. | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
SLKOR
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1 | N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs, VDS=60V, ID=0.115A, RDS(ON)<7.5Ω@VGS=5V, SOT-23 package, lead-free, surface mount. | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Bytesonic Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
PanJit Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Motorola Semiconductor Products
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AA | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Taitron Components Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Vishay Siliconix
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Exar Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
DC Components Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Transistor, | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
National Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Silicon Standard Corp
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
InterFET Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Calogic Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002
Samsung Semiconductor
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||