Showing 25 of 208 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ201-Y(F)
Toshiba
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1 | MOSFET P-CH 200V 12A TO-3PL | Transistor Outline, Vertical | 2SJ201-Y(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ROX2SJ200K
TE Connectivity
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1 | Body Features: Lead Type Axial-Leaded | Configuration Features: Number of Resistors 1 | Dimensions: Passive Component Dimensions 16 x 5.5 MM | Electrical Characteristics: Passive Component Tolerance 5 PCT | Resistance Class 1kΩ – 1MΩ | Resistance Value 200K OHM | Power Rating 2 WATT | Packaging Features: Packaging Method Ammo Packed | Product Type Features: Element Type Metal Oxide Film | Resistor Type Power Resistor | Termination Features: Termination Area Base Material Copper | Number of Terminations | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ROX2SJ200K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERG-2SJ203A
Panasonic
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1 | 20 kOhms ±5% 2W Through Hole Resistor Axial Flame Proof, Safety Metal Oxide Film | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ERG-2SJ203A |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ202-T2-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ202-T2-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ209-T2B-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ209-T2B-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ203-T1B
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 16V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ203-T1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ202-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ202-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ207-T2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ207-T2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ204-L-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ204-L-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ207-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ207-T1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ205-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ205-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ201
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ201 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ209-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ209-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ203-T1B
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ203-T1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ204-T2B-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ204-T2B-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ203-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 16V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ203-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ202-T1
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ202-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ209
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN | 2SJ209 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ208-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ208-T1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ207
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 16V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ207 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ201-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ201-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ207-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ207-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ201-O(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ201-O(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ204-L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ204-L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ201-Y(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ201-Y(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||