Showing 25 of 1430 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ334
Toshiba
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1 | MOSFET 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | Transistor Outline, Vertical | 2SJ334 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ330-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ330 is a Switching P-Channel Power MOSFET. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ330-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ334(F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SJ334(F) P-channel MOSFET Transistor, 30 A, 60 V, 3-Pin SC-67 | Transistor Outline, Vertical | 2SJ334(F) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ331-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2SJ331-AZ | 2SJ331-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power | 2SJ338-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-O(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7J1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338-O(2-7J1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7J1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338(2-7J1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ336-TR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SJ336-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 2SJ332(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-Y(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7J1B, SC-64, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338-Y(2-7J1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 2SJ332(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338O
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ338Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ338-O(TE16R1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 | 2SJ338-O(TE16R1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ335(JH)TD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 12V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, SC-62, 3 PIN | 2SJ335(JH)TD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ335
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 12V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN | 2SJ335 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ332(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 20V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ332(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333L
Hitachi Ltd
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1 | 7A, 30V, 0.22ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ333L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ336
onsemi
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,12V V(BR)DSS,2A I(D),TO-251 | 2SJ336 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ333(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 2SJ333(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ337-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ337-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ337
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 3 PIN | 2SJ337 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ331
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ331 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||