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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527L
Renesas Electronics
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1 | Low on-resistance RDS(on) = 0.3 Ω typ | Transistor Outline, Vertical | 2SJ527L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ529L is a Pch Single Power Mosfet -60V -10A 160Mohm DPAK(L)-(2)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ529L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ528L is a Pch Single Power Mosfet -60V -7A 220Mohm DPAK(L)-(2)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ528L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ527L is a Pch Single Power Mosfet -60V -5A 400Mohm DPAK(L)-(1)/To-251. | Other | 2SJ527L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528-L(E)
Renesas Electronics
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1 | Pch Single Power Mosfet -60V -7A 220Mohm | Transistor Outline, Vertical | 2SJ528-L(E) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(L)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(L)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(L)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ520
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ520 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.37ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ528(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ528STR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ528STR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.8ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ527(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529STR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529STR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ522-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ522-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 60V, 0.24ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ529(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527STR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527STR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ527(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ527(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ526
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ526 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ529STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.24ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ529STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ525
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ525 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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