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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK11
Toshiba America Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK117-BL
Toshiba
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1 | JFET TO-92 FET(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(09-10), | Other | 2SK117-BL |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1112
Toshiba
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1 | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | Other | 2SK1112 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1151L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK1151L is a Nch Single Power Mosfet 450V 1.5A 5500Mohm DPAK(L)-(1)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SK1151L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1152L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK1152L is a Nch Single Power Mosfet 500V 1.5A 6000Mohm DPAK(L)-(1)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SK1152L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK118
Toshiba
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1 | FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL JUNCTION TYPE | Other | 2SK118 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK117
Toshiba
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1 | 2-PHASE BUSBAR TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type | Other | 2SK117 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK118-O
Toshiba
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1 | N-CHANNEL JUNCTION TYPE Field Effect Transistor | Other | 2SK118-O |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1151STR-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK1151S is a Nch Single Power Mosfet 450V 1.5A 5500Mohm DPAK(S)/To-252. | Other | 2SK1151STR-E |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1133-A
Renesas Electronics
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1 | N-Channel MOSFET Transistor, 100 mA, 50 V, 3-Pin SC-59 | SOT23 (3-Pin) | 2SK1133-A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1122
NEC
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1 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | Transistor Outline, Vertical | 2SK1122 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1132-T-A
Renesas Electronics
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1 | N-CHANNEL MOSFET 5V -55 to +150 celsious | Other | 2SK1132-T-A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1109-T1B
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2SK1109-T1B | 2SK1109-T1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1102-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1102-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1109-T1B-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK1109-T1B-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1151(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1151(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1105R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3PF, 3 PIN | 2SK1105R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1194-4071
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 230V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, EPACK-3 | 2SK1194-4071 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1186
Allegro MicroSystems LLC
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1 | Power Field-Effect Transistor, TO-220AB | 2SK1186 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1109-T2B
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK1109-T2B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1152S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1152S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1153-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 450V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1153-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1166
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1166 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1192
Sanken Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1192 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1112LBTE16L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1112LBTE16L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||