Showing 25 of 438 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK18
Toshiba America Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1859-E
Renesas Electronics
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1 | MOSFET MOSFET - Pb Free | Transistor Outline, Vertical | 2SK1859-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1835-E
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Transistor Outline, Vertical | 2SK1835-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1829(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SK1829(TE85L,F) N-channel MOSFET Transistor, 0.05 A, 20 V, 3-Pin USM | SOT23 (3-Pin) | 2SK1829(TE85L,F) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK184
Toshiba
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1 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Gate current IG 10 mA Drain power dissipation PD 200 mW Storage temperature range Tstg −55~125 °C | Other | 2SK184 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1828(F)
Toshiba
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1 | Semi,MOSFET,Transistor,SMT | Other | 2SK1828(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1835(E)
Renesas Electronics
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1 | Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | Transistor Outline, Vertical | 2SK1835(E) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK18A
Toshiba America Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK18A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1830(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SK1830(TE85L) | 2SK1830(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1826(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SK1826(TE85L) | 2SK1826(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1827(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SK1827(TE85L) | 2SK1827(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1832
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1832 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1852-SH-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1852-SH-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1865
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1865 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK183H
TOKIN Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1.5ohm, 1-Element, Silicon | 2SK183H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1889SMP-FD
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1889SMP-FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1869(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1869(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1851-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1851-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1808-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1808-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1875-VTE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal | 2SK1875-VTE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1841AC
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1841AC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1810-4012
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 300V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1810-4012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1841AD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1841AD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1830TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1830TE85R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1884
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1884 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||