Showing 25 of 438 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK18
Toshiba America Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK18 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1859-E
Renesas Electronics
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1 | MOSFET MOSFET - Pb Free | Transistor Outline, Vertical | 2SK1859-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1835-E
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Transistor Outline, Vertical | 2SK1835-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1829(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SK1829(TE85L,F) N-channel MOSFET Transistor, 0.05 A, 20 V, 3-Pin USM | SOT23 (3-Pin) | 2SK1829(TE85L,F) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK184
Toshiba
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1 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Gate current IG 10 mA Drain power dissipation PD 200 mW Storage temperature range Tstg −55~125 °C | Other | 2SK184 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1828(F)
Toshiba
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1 | Semi,MOSFET,Transistor,SMT | Other | 2SK1828(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1835(E)
Renesas Electronics
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1 | Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P | Transistor Outline, Vertical | 2SK1835(E) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK18A
Toshiba America Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK18A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1830(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SK1830(TE85L) | 2SK1830(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1826(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SK1826(TE85L) | 2SK1826(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1827(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SK1827(TE85L) | 2SK1827(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1892-CB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1892-CB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1829TE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 50 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, FET General Purpose Small Signal | 2SK1829TE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1852-SH-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1852-SH-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK183H
TOKIN Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1.5ohm, 1-Element, Silicon | 2SK183H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1839-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1839-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1880(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1880(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1875VTE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal | 2SK1875VTE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1808-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1808-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1895-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1895-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1840
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1840 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1841AD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1841AD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1820-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1820-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1871
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1871 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1826TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | 2SK1826TE85R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||