2SK22 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2231
Toshiba
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1 | N-channel MOSFET,2SK2231 5A 60V | Other | 2SK2231 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2258-01
FUJI ELECTRIC
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1 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | Other | 2SK2258-01 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2225-E
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2225-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2232
Toshiba
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1 | MOSFET N-Ch 60V 25A Rdson 0.046 Ohm | Transistor Outline, Vertical | 2SK2232 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2221-E
Renesas Electronics
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1 | Low frequency power amplifier, Complementary pair with 2SJ351, 2SJ352. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2221-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2225-80-E#T2
Renesas Electronics
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1 | MOSFETs suitable for switching (motor drive, etc.) and load switch applications. Low on-resistance, high-speed switching, and high-robustness. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2225-80-E#T2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2233
Toshiba
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1 | MOSFET TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | Transistor Outline, Vertical | 2SK2233 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2232(T)
Toshiba
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1 | MOSFET N-CH 60V 25A TO220NIS | Transistor Outline, Vertical | 2SK2232(T) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2219
Sanyo
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1 | Capacitor Microphone Applications | SOT23 (3-Pin) | 2SK2219 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2232(F)
Toshiba
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1 | 2SK2232(F) N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 60 V, 3-Pin SC-67 | Other | 2SK2232(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2225E
Renesas Electronics
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1 | Trans MOSFET N-CH Si 1.5KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube | Transistor Outline, Vertical | 2SK2225E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK222D
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 | 2SK222D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2290-4072
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2290-4072 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2295
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2295 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2286-4000
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2286-4000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2272-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2272-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2247QY
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2247QY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2219(D)TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK2219(D)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2279-4100
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2279-4100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK223G
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 | 2SK223G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2201(TE16L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2201(TE16L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2215-01S
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2215-01S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2229TP
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2229TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2231(2-7B2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2231(2-7B2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2288-4072
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2288-4072 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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