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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2968
Toshiba
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1 | TRANSISTOR 10 A, 900 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-16C1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | Other | 2SK2968 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2937-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2937 is a Nch Single Power Mosfet 60V 25A 34Mohm To-220Fm. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2937-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2925(L)
HITACHI
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1 | N-channel MOSFET, 60V, 10A continuous, RDS(on) 0.060Ω typ @10V, fast switching, 4V gate drive compatible | Other | 2SK2925(L) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2961(TE6,F,M)
Toshiba
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1 | MOSFET N-ch 60V 2A 0.27 ohm | Other | 2SK2961(TE6,F,M) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2926L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2926L is a Nch Single Power Mosfet 60V 15A 55Mohm DPAK(L)-(2)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2926L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2927-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2927 is a Nch Single Power Mosfet 60V 10A 75Mohm To-220Ab. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2927-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2943
SANKEN ELECTRIC CO.
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1 | MOSFET N-CH 900V TO-220F | Transistor Outline, Vertical | 2SK2943 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2961(TPE6F)
Toshiba
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1 | MOSFET | Other | 2SK2961(TPE6F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2963(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2963(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2918-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2918-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2933-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2933-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2993S2B
Toshiba America Electronic Components
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1 | Transistor | 2SK2993S2B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2980ZZ-TL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2980ZZ-TL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2983
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2983 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2949
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2949 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2951
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2951 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK298
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK298 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2941
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2941 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2935-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2935-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2939L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2939L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2940(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2940(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2940(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2940(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2957L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2957L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2961(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2961(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2939S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2939S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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