Showing 25 of 293 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3878(F)
Toshiba
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1 | MOSFET N-Channel 900V 9A TO-3PN Toshiba 2SK3878(F) N-channel MOSFET Transistor, 9 A, 900 V, 3-Pin TO-3PN | Transistor Outline, Vertical | 2SK3878(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3814-Z-E1-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK3814 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. | Other | 2SK3814-Z-E1-AZ |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3845(Q)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SK3845(Q) N-channel MOSFET Transistor, 70 A, 60 V, 3-Pin TO-3PN | Transistor Outline, Vertical | 2SK3845(Q) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK389
Toshiba
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1 | N CHANNEL JUNCTION TYPE (LOW NOISE AUDIO AND DIFFERENTIAL AMPLIFIER APPLICATIONS | Transistor Outline, Vertical | 2SK389 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3813(0)-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3813(0)-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3831
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3831 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3813(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3813(0)-Z-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3812-ZP-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 2SK3812-ZP-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3820-E
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3820-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3889-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3889-01SJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3866G-T
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00022A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, TSSSMINI3-F2, 3 PIN | 2SK3866G-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3821-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3821-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK385
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 400V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK385 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3866T
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00033A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK3866T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3845
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3845 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3866G-S
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00033A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, TSSSMINI3-F2, 3 PIN | 2SK3866G-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3850(TP-FA)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3850(TP-FA) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3886-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 120V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3886-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3813
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.06A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, MP-3, 3 PIN | 2SK3813 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3856-6
SANYO Electric Co Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3856-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3871-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 230V, 0.076ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3871-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3818(SMP)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 74A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3818(SMP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3857MFV-A
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00037A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK3857MFV-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3811-ZP-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3811-ZP-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3817(SMP)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3817(SMP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||