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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313
Toshiba
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1 | Field effect transistor, silicon P channel, MOS type | Transistor Outline, Vertical | 2SJ313 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ312(TO-220SM)
Toshiba
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1 | MOSFET (P-Channel) | Other | 2SJ312(TO-220SM) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ318S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ318S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ315(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ315(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ312(TO-220FL)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ312(TO-220FL) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ315TE16L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ315TE16L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ313-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ318(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 5A, 20V, 0.19ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ318(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ315(2-7B1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ315(2-7B1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ318(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ318(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ315(2-7B2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.4ohm | 2SJ315(2-7B2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ318(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ318(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ316-TD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 12V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SJ316-TD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ318(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ318(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ319(L)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ319(L)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ317NYTL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 12V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ317NYTL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ319(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ319(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ319(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ319(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ319L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ319L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ312TE24L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ312TE24L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-Y(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ313-Y(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ312TE24R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ312TE24R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ319(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ319(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ319(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2.3ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ319(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ315TE16R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ315TE16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||