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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2013
Toshiba
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1 | Field effect transistor, silicon N channel, MOS type | Transistor Outline, Vertical | 2SK2013 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK208
Toshiba
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1 | N-ch Junction FET, -50 V, 0.3 to 6.5 mA, SOT-346(S-Mini) | Other | 2SK208 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK208-R(TE85L,F)
Toshiba
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1 | JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA | Other | 2SK208-R(TE85L,F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba
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1 | JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | SOT23 (3-Pin) | 2SK209-GR(TE85L,F) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK209-BL(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Transistor: N-JFET; unipolar; 14mA; 150mW; SC59; Igt:10mA | Other | 2SK209-BL(TE85L,F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK209-Y(TE85L,F)
Toshiba
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1 | JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | SOT23 (3-Pin) | 2SK209-Y(TE85L,F) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK208-Y(TE85L,F)
Toshiba
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1 | JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA | Other | 2SK208-Y(TE85L,F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK209
Toshiba
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1 | N-ch Junction FET, -50 V, 1.2 to 14 mA, SOT-346(S-Mini) | Other | 2SK209 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2009
Toshiba
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1 | N-ch MOSFET, 30 V, 0.2 A, 2.0 Ω@2.5V, SOT-346(S-Mini) | Other | 2SK2009 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2009(F)
Toshiba
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0 | Transistor,MOSFET Toshiba 2SK2009(F) N-channel MOSFET Transistor, 0.2 A, 30 V, 3-Pin SC-59 | SOT23 (3-Pin) | 2SK2009(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2059(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 2SK2059(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2033TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | 2SK2033TE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK208GTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 | 2SK208GTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2045
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2045 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2010-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2010-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2065-4072
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 300V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2065-4072 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2008
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2008 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2034
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2034 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2035
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2035 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2091-14
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.005A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK2091-14 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2083-DL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 5A, 900V, 3.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SK2083-DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2023-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2023-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2080-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2080-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2025-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2025-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2062
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2062 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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