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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGD3N60LSDTM
onsemi
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1 | High Current Capability; Very Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.2 V at IC = 3 A; High Input Impedance | Other | FGD3N60LSDTM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-B-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-B-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TA-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TA-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TC2-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-TC2-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-TC-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-CBQ-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-CBQ-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-CBQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-CBQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-TC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-MH-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 3N60L-MH-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TF3T-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-B-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-B-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA5-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-TA5-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-TA-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-A-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-A-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TA-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-B-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N60L-B-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-CBQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N60L-CBQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-TA-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N60L-TA-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N60L-HC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N60L-HC-TM3-T |
0
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