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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT106N60LC6
Microchip
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1 | MOSFETs MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264 | Transistor Outline, Vertical | APT106N60LC6 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-CBS-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-CBS-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-P-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60L-P-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-HC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-HC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-C-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60L-C-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-TF3T-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-C-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-C-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-C-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60L-C-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-TC2TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-TC2TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-P-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60L-P-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-B-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60L-B-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 6N60L-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-A-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60L-A-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-C-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60L-C-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-HC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-HC-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 6N60L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 6N60L-CB-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-A-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60L-A-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-CB-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60L-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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6N60L-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60L-CB-TM3-T |
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