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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A-FT09
ASSMANN WSW components GmbH
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1 | Connector Accessory, Hood, Polypropylene | A-FT09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS015NT1
NXP
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1 | RF MOSFET Transistors 136-941 MHz 16W 12.5V | Other | AFT09MS015NT1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09S200W02GNR3
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09S200W02GNR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS031NR1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AFT09MS031NR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS007NT1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AFT09MS007NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09H310-03SR6
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AFT09H310-03SR6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09S200W02SR3
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09S200W02SR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS031GNR1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AFT09MS031GNR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MP055GNR1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09MP055GNR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09H310-03SR6
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09H310-03SR6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS015NT1
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09MS015NT1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09H310-04GSR6
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AFT09H310-04GSR6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS007N
NXP
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1 | Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V | AFT09MS007N |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS031GNR1
NXP
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1 | Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V | AFT09MS031GNR1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09S200W02NR3
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AFT09S200W02NR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09S200W02GNR3
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09S200W02GNR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09S220-02NR3
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09S220-02NR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS007NT1
NXP
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1 | RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W | AFT09MS007NT1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77311-SAFT09LF
Amphenol Communications Solutions
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1 | Board Connector, 9 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Black Insulator | 77311-SAFT09LF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77311-SAFT09
Amphenol FCi
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1 | Board Connector, 9 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle | 77311-SAFT09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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77311-SAFT09
Amphenol Communications Solutions
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1 | Board Connector, 9 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Black Insulator, Receptacle | 77311-SAFT09 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09H310-04GSR6
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09H310-04GSR6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09S200W02SR3
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | AFT09S200W02SR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09S200W02NR3
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AFT09S200W02NR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFT09MS031GN
NXP
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1 | N-channel LDMOS RF power transistor for 764–941 MHz, delivering up to 44 W CW output, 18 dB gain, 74% efficiency, and 31 W P1dB, with a 13.6 V supply, 500 mA bias, and 0.63 °C/W thermal resistance, housed in a TO-270-2 plastic package, ESD-protected to HBM 2kV, and rated up to 225 °C junction temperature, ideal for mobile radio and trunking base stations. | AFT09MS031GN |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||