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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R020M1XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 104A (Tc) 468W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12 -55°C ~ 175°C (TJ) 2667 pF @ 800 V 23V, -5V 5.1V @ 15mA | Other | AIMBG120R020M1XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R010M1XTMA1
Infineon
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1 | -55℃~+175℃ 1.2kV 16pF 178nC@20V 205A 268pF [email protected] 5.703nF 8.7mΩ@20V 882W TO-263-7-12 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS | Other | AIMBG120R010M1XTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R007M2HXTMA1
Infineon
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1 | SiC MOSFETs N-Channel CoolSiC Automotive Power Device 750V G2 , 9 mOhms , 198A , 651W , -55°C ~ +175°C | Other | AIMBG75R007M2HXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R080M1XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 1200 V 30A Surface Mount PG-TO263-7-12 | Other | AIMBG120R080M1XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R016M1HXTMA1
Infineon
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1 | Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK) | Other | AIMBG75R016M1HXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R060M1HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 34A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 | Other | AIMBG75R060M1HXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R040M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 750V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R040M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R160M1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | AIMBG120R160M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R016M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 750V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R016M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R027M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 750V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R027M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R040M1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 1200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG120R040M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R160M1XTMA1
Infineon
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1 | MOSFETs Y | AIMBG120R160M1XTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R030M1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1200V, 0.038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG120R030M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R080M1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30.6A I(D), 1200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG120R080M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R060M1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET, TO-263 | AIMBG120R060M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R120M1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG120R120M1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R060M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 750V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R060M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R140M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 750V, 0.182ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R140M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG75R020M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 750V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG75R020M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMBG120R010M1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 205A I(D), 1200V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | AIMBG120R010M1 |
0
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