Showing 25 of 147 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2DQ2
Advanced Power Technology
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1 | POWER MOS 7® IGBT PT 1200 V 113 A 625 W Through Hole -55 to 150°C | Other | APT45GP120B2DQ2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120JDF2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES | APT45GP120JDF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120JDF2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES | APT45GP120JDF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45-101DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT45-101DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4525DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4525DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 21A, 450V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT4530BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120JDQ2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120JDQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT451R1BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT451R1BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2DQ2G
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 113A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120B2DQ2G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4510FN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4510FN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GF60BNU1
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 45A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | APT45GF60BNU1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4585AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4585AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45M60DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT45M60DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2DF2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120B2DF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4585BN-BUTT
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT4585BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4540DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4540DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4511DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,CHIP / DIE | APT4511DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45-101DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,22.5A I(D),CHIP / DIE | APT45-101DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GR65S
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT45GR65S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530AN
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4530AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4585BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4585BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4540AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT4540AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT4530AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 450V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT4530AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2D2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT45GP120B2D2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT45GP120B2D2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 54A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TMAX-3 | APT45GP120B2D2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||