Showing 25 of 1010 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012NE2LX
Infineon
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1 | N-Channel 25 V 37A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ , -40°C ~ 150°C (TJ) | Other | BSB012NE2LX |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012N03LX3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 30V 39A/180A 2WDSON | Other | BSB012N03LX3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB01703HA3-00CAJ
Delta Electronics Inc
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1 | DC Fan, Axial Construction, 0.1A, 3V, 0.3W | BSB01703HA3-00CAJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB017N03LX3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 147A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB017N03LX3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012N03LX3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 30V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB012N03LX3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB017N03LX3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 147A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB017N03LX3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB018NE2LXG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 179A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB018NE2LXG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012N03MX3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB012N03MX3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB017N03LX3GXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 147A I(D), 30V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB017N03LX3GXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 25V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB012NE2LXIXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012N03LX3GXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 30V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB012N03LX3GXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012N03LX3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 30V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB012N03LX3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB01503HA3-00CGE
Delta Electronics Inc
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1 | DC Fan, Axial Construction, 0.1A, 3V, 0.3W | BSB01503HA3-00CGE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB014N04LX3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB014N04LX3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB019N03LXGXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB019N03LXGXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB013NE2LXIXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 25V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB013NE2LXIXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012NE2LXI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSB012NE2LXI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB013NE2LXI
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 25V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB013NE2LXI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB015N04NX3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB015N04NX3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB014N04LX3GXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB014N04LX3GXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB019N03LXG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 30V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB019N03LXG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB015N04NX3GXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB015N04NX3GXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB014N04LX3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB014N04LX3GXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSB012NE2LXXUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 25V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSB012NE2LXXUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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LT52BRBBSB015PAXXX
TE Connectivity
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1 | Piezoresistive Sensor, Absolute, 0Psi Min, 15Psi Max, 0.25%, 0-4V, Cylindrical, Unspecified Mount | LT52BRBBSB015PAXXX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||