Showing 25 of 1812 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042NE7NS3GATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC042NE7NS3GATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC040N10NS5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOSTM5Power-Transistor,100V | Other | BSC040N10NS5ATMA1 |
3
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BSC040N08NS5ATMA1
Infineon
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1 | BSC040N08NS5ATMA1 N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V BSC040N08NS5, 8-Pin TDSON Infineon | Other | BSC040N08NS5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC040N10NS5SCATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 100 V 140A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) Surface Mount PG-WSON-8-2 | Other | BSC040N10NS5SCATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC040N10NS5SC
Infineon
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1 | N-CH 100V 140A 3,4mOhm WSON-8-2 | Other | BSC040N10NS5SC |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC047N08NS3G
Infineon
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1 | Infineon BSC047N08NS3G N-channel MOSFET Transistor, 100 A, 80 V, 8-Pin TDSON | Other | BSC047N08NS3G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC046N02KSGAUMA1
Infineon
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1 | MOSFET, N-CH, 20V, 80A, TDSON-8 | Other | BSC046N02KSGAUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03LS G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC042N03LS G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC046N10NS3 G
Infineon
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1 | OptiMOSTM3 Power-Transistor | Other | BSC046N10NS3 G |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042NE7NS3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | Other | BSC042NE7NS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03MS G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 30V 93A TDSON-8 OptiMOS 3M | Other | BSC042N03MS G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC047N08NS3 G
Infineon
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1 | INFINEON - BSC047N08NS3 G - MOSFET, N CH, 100A, 80V, PG-TDSON-8 | Other | BSC047N08NS3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0402NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 150V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0402NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03MSGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03MSGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03SG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03SG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC040N08NS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 121A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC040N08NS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03SGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03SGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC043N03MSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC043N03MSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC049N03MSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC049N03MSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC046N02KSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 20V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC046N02KSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC042N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC042N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC046N10NS3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC046N10NS3GATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC048N025SGAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC048N025SGAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSC0403NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 150V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSC0403NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||