Showing 23 of 23 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSD214SNL6327
Infineon
|
1 | N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-6-6 , 140mOhm , -55°C ~ 150°C (TJ) | Other | BSD214SNL6327 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD214SN H6327
Infineon
|
1 | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS | SOT23 (6-Pin) | BSD214SN H6327 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD212
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 10V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72 | BSD212 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD215
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72 | BSD215 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD214
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72 | BSD214 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD213
NXP Semiconductors
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 10V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-72 | BSD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD214SNH6327XTSA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD214SNH6327XTSA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD213
Philips Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD212
Philips Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD212 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD212
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD212 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD214
Philips Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD214 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD214
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD214 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD215
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD215 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD213
North American Philips Discrete Products Div
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD214SNH6327
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD214SNH6327 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD215
Philips Semiconductors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD215 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
BSD214SN
Infineon Technologies AG
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSD214SN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ERNSBSD2150
Panasonic Electronic Components
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSD2150 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ERNSBSD2151
Panasonic Electronic Components
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 2150ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSD2151 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ERNSBSD2100
Panasonic Electronic Components
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 210ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSD2100 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ERNSBSD2101
Panasonic Electronic Components
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 2100ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSD2101 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ERNSBSD2102
Panasonic Electronic Components
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 21000ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSD2102 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ERNSBSD2152
Panasonic Electronic Components
|
1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 21500ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, 5ppm/Cel | ERNSBSD2152 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||