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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GD120DN2
Infineon
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1 | IGBT MODULE, 1.2KV, 15A, ECONOPACK2; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V; Power Dissipation Pd:80W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:17Pins RoHS Compliant: Yes | Other | BSM10GD120DN2 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DLW5BSM102SQ2B
Murata Electronics
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1 | DLW5BSM_Q2B Series EMI Suppression Filter 1000Ω at 100MHz 1.5A 50V | Other | DLW5BSM102SQ2B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DLW5BSM102SQ2K
Murata Electronics
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1 | DLW5BSM_Q2K Series EMI Suppression Filter 1000Ω at 100MHz 1.5A 50V | Other | DLW5BSM102SQ2K |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DLW5BSM102SQ2L
Murata Electronics
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1 | DLW5BSM_Q2L Series EMI Suppression Filter 1000Ω at 100MHz 1.5A 50V | Other | DLW5BSM102SQ2L |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GAR120DN2
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GAR120DN2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GP60-A
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GP60-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GB120DN2K
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GB120DN2K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM101AR
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 50V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSM101AR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GAL120DN2
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GAL120DN2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM101AR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET | BSM101AR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GT120DN2
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GT120DN2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GAL120DLCKHOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 205A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GAL120DLCKHOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GD120DN2BOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM10GD120DN2BOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GAL120DLCK
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 205A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GAL120DLCK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GD100DN1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-17 | BSM10GD100DN1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GP120BOSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM10GP120BOSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GB120DLCK
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 205A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GB120DLCK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GB120DLK
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GB120DLK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GB160D
Siemens
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1600V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GB160D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GP120DL
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM10GP120DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GB120DN2K
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM10GB120DN2K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GB170DL
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GB170DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM100GB120DLC
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | BSM100GB120DLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GD60DLC
Eupec Gmbh & Co Kg
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | BSM10GD60DLC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSM10GP120
Infineon
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1 | P-Channel 55 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK) | BSM10GP120 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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