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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129H6327XTSA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP129H6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129H6906XTSA1
Infineon
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1 | Infineon BSP129H6906XTSA1 N-channel MOSFET Transistor, 0.005 A, 240 V Depletion, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP129H6906XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129 H6327
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP129 H6327 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129 H6906
Infineon
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1 | MOSFET | SOT223 (3-Pin) | BSP129 H6906 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129 L6327
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R - Bulk | SOT223 (3-Pin) | BSP129 L6327 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129E-6327
Infineon Technologies AG
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1 | 0.2A, 240V, 20ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP129E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129L6327XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129L6327XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP129E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129L6906HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129L6906HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP129E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129L6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129L6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129E-6327
Siemens
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1 | 0.2A, 240V, 20ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP129E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129H6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129H6906 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129L6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129L6906 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129E7941
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129E7941 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129L6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129L6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129E7941
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 240V, 20ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129E7941 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP129-E6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP129-E6906 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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