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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135I
Infineon
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1 | N-channelDepletion modedv/dt ratedHalogen-free according to IEC61249-2-21Pb-free lead plating;RoHS compliant | SOT223 (3-Pin) | BSP135I |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135
Infineon
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1 | MOSFET N-Channel 600V 0.12A SOT223 Infineon BSP135 N-channel MOSFET Transistor, 0.12 A, 600 V Depletion, 3+Tab-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP135 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135H6906XTSA1
Infineon
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1 | Infineon BSP135H6906XTSA1 N-channel MOSFET Transistor, 0.12 A, 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | BSP135H6906XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135H6327XTSA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP135H6327XTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135H6433XTMA1
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 | SOT223 (3-Pin) | BSP135H6433XTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135IXTSA1
Infineon
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1 | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | SOT223 (3-Pin) | BSP135IXTSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VN16BSP13TR
STMicroelectronics
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1 | Iso high side smart power solid state relay PowerSO-10 | Small Outline Packages | VN16BSP13TR |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135E6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 600V, 60ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP135E6906 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130T/R
Nexperia
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1 | Power Field-Effect Transistor | BSP130T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135H6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP135H6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135L6433HTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP135L6433HTMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130-TAPE-7
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 300V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP130-TAPE-7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130T/R
Philips Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP130T/R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135H6906
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP135H6906 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135L6906HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP135L6906HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP130,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135E6327
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 600V, 60ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP135E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135E-6327
Siemens
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1 | 0.1A, 600V, 60ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOT-223, 4 PIN | BSP135E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130-T
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 300V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP130-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130
North American Philips Discrete Products Div
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135L6327HTSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 600V, 45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP135L6327HTSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP135E6327
Siemens
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 600V, 60ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN | BSP135E6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP139E-6327
Infineon Technologies AG
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.04A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP139E-6327 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSP130
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 300V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSP130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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