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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ036NE2LS
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS | Other | BSZ036NE2LS |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ033NE2LS5
Infineon
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1 | N-Channel 25 V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL | Other | BSZ033NE2LS5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ031NE2LS5ATMA1
Infineon
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1 | N-Channel 25V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL | Other | BSZ031NE2LS5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ034N04LS
Infineon
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1 | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | Other | BSZ034N04LS |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ034N04LSATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH <= 40V | Other | BSZ034N04LSATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ039N06NSATMA1
Infineon
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1 | MOSFET TRENCH 40<-<100V | Other | BSZ039N06NSATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ037N06LS5ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET 60V Mosfet 3,7mOhm, PQFN 3x3 | Other | BSZ037N06LS5ATMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ039N06NS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 60V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ039N06NS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ035N03LSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ035N03LSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ031NE2LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 25V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ031NE2LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ033N03MSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ033N03MSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ035N03LSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ035N03LSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ034N04LSATMA1/SAMPLE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ034N04LSATMA1/SAMPLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ033N03LSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ033N03LSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ033NE2LS5ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 25V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ033NE2LS5ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ036NE2LSATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ036NE2LSATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ037N06LS5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104A I(D), 60V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ037N06LS5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ035N03MSG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ035N03MSG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ036NE2LSXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 25V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ036NE2LSXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ035N03MSGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ035N03MSGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ033N03LSCG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ033N03LSCG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSZ033N03MSCGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | BSZ033N03MSCGATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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P11L1Q0EBSZ03102KA
Vishay Intertechnologies
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1 | Potentiometer, Cermet, 0.1W, 1000ohm, 10V, 10% +/-Tol, 150ppm/Cel, 1 Turn(s), | P11L1Q0EBSZ03102KA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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P11L1QBEBSZ03102KF
Vishay Intertechnologies
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1 | Potentiometer, Cermet, 0.05W, 1000ohm, 7.1V, 10% +/-Tol, 150ppm/Cel, 1 Turn(s) | P11L1QBEBSZ03102KF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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P11A1A0BBSZ03503MA
Vishay Intertechnologies
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1 | Potentiometer, Conductive Plastic, 0.5W, 50000ohm, 158V, 20% +/-Tol, 500ppm/Cel, 4949 | P11A1A0BBSZ03503MA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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